半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311133526.2

申请日：

2023-09-05

公开(公告)号：

CN117423621A

公开(公告)日：

2024-01-19

发明(设计)人：

沈书文林彦伯陈俊翰

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/088 H01L21/82

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李南山

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-19	公开	公开
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20230905

共 50 条

[41]

半导体装置及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

新田文彦 ;

松冈正道 ;

饭田里志 .

中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03

[42]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[43]

半导体装置及其制造方法 [P].

王俊利 ;

平野智之 ;

片冈豊隆 ;

萩本贤哉 .

中国专利 :CN101345244B ,2009-01-14

[44]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木健司 ;

高桥英树 ;

友松佳史 .

中国专利 :CN101170109A ,2008-04-30

[45]

半导体装置及其制造方法 [P].

乡户宏充 .

中国专利 :CN101034719A ,2007-09-12

[46]

半导体装置及其制造方法 [P].

纐纈洋章 ;

东雅彦 .

中国专利 :CN101167180A ,2008-04-23

[47]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004718B ,2017-08-01

[48]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN103295910B ,2013-09-11

[49]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

[50]

半导体装置及其制造方法 [P].

关口亮太 ;

尾内敏彦 .

中国专利 :CN105900235A ,2016-08-24

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