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利用聚焦的离子束制备横截面的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311492083.6
申请日
:
2023-11-09
公开(公告)号
:
CN118016525A
公开(公告)日
:
2024-05-10
发明(设计)人
:
S·博伊尔
申请人
:
弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请人地址
:
德国慕尼黑
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
郭毅
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-10
公开
公开
2025-09-16
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20231109
共 50 条
[1]
一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法
[P].
黄莉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
黄莉
;
贺兆波
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
贺兆波
;
曾远
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
曾远
;
叶瑞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
叶瑞
;
徐泽
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
徐泽
.
中国专利
:CN119666504B
,2025-08-29
[2]
一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法
[P].
黄莉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
黄莉
;
贺兆波
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
贺兆波
;
曾远
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
曾远
;
叶瑞
论文数:
0
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0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
叶瑞
;
徐泽
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
徐泽
.
中国专利
:CN119666504A
,2025-03-21
[3]
一种利用聚焦离子束制备孔隙样品的减薄方法
[P].
叶瑞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
叶瑞
;
黄莉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
黄莉
;
曾远
论文数:
0
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0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
曾远
;
徐泽
论文数:
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0
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0
机构:
湖北兴福电子材料股份有限公司
湖北兴福电子材料股份有限公司
徐泽
.
中国专利
:CN120992284A
,2025-11-21
[4]
离子束刻蚀方法
[P].
胡咏兵
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
东莞新科技术研究开发有限公司
东莞新科技术研究开发有限公司
胡咏兵
.
中国专利
:CN119890037A
,2025-04-25
[5]
聚焦离子束样品清洁方法及装置
[P].
王娅茹
论文数:
0
引用数:
0
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0
王娅茹
;
李威
论文数:
0
引用数:
0
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0
李威
.
中国专利
:CN114192503A
,2022-03-18
[6]
离子束照射装置及离子束照射方法
[P].
小野田正敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
日新离子机器株式会社
日新离子机器株式会社
小野田正敏
;
后藤亮介
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
日新离子机器株式会社
日新离子机器株式会社
后藤亮介
;
永尾友一
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
日新离子机器株式会社
日新离子机器株式会社
永尾友一
;
宇井利昌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
日新离子机器株式会社
日新离子机器株式会社
宇井利昌
.
日本专利
:CN117790320A
,2024-03-29
[7]
利用离子束刻蚀产生环栅结构
[P].
伊凡·L·贝瑞三世
论文数:
0
引用数:
0
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0
伊凡·L·贝瑞三世
;
索斯藤·利尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
索斯藤·利尔
.
中国专利
:CN105575795B
,2016-05-11
[8]
一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法
[P].
王荣明
论文数:
0
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0
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0
王荣明
;
罗浒
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗浒
;
崔益民
论文数:
0
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0
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0
崔益民
;
姚骏恩
论文数:
0
引用数:
0
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0
姚骏恩
.
中国专利
:CN102064077A
,2011-05-18
[9]
利用低温晶片温度的离子束蚀刻
[P].
索斯藤·利尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
索斯藤·利尔
;
伊凡·L·贝瑞三世
论文数:
0
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0
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伊凡·L·贝瑞三世
;
安东尼·里奇
论文数:
0
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0
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0
安东尼·里奇
.
中国专利
:CN107123733B
,2017-09-01
[10]
利用低温晶片温度的离子束蚀刻
[P].
索斯藤·利尔
论文数:
0
引用数:
0
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索斯藤·利尔
;
伊凡·L·贝瑞三世
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0
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伊凡·L·贝瑞三世
;
安东尼·里奇
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0
引用数:
0
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0
安东尼·里奇
.
中国专利
:CN110634726B
,2019-12-31
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