利用聚焦的离子束制备横截面的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311492083.6
申请日
2023-11-09
公开(公告)号
CN118016525A
公开(公告)日
2024-05-10
发明(设计)人
S·博伊尔
申请人
弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
郭毅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法 [P]. 
黄莉 ;
贺兆波 ;
曾远 ;
叶瑞 ;
徐泽 .
中国专利 :CN119666504B ,2025-08-29
[2]
一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法 [P]. 
黄莉 ;
贺兆波 ;
曾远 ;
叶瑞 ;
徐泽 .
中国专利 :CN119666504A ,2025-03-21
[3]
一种利用聚焦离子束制备孔隙样品的减薄方法 [P]. 
叶瑞 ;
黄莉 ;
曾远 ;
徐泽 .
中国专利 :CN120992284A ,2025-11-21
[4]
离子束刻蚀方法 [P]. 
胡咏兵 .
中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25
[5]
聚焦离子束样品清洁方法及装置 [P]. 
王娅茹 ;
李威 .
中国专利 :CN114192503A ,2022-03-18
[6]
离子束照射装置及离子束照射方法 [P]. 
小野田正敏 ;
后藤亮介 ;
永尾友一 ;
宇井利昌 .
日本专利 :CN117790320A ,2024-03-29
[7]
利用离子束刻蚀产生环栅结构 [P]. 
伊凡·L·贝瑞三世 ;
索斯藤·利尔 .
中国专利 :CN105575795B ,2016-05-11
[8]
一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法 [P]. 
王荣明 ;
罗浒 ;
崔益民 ;
姚骏恩 .
中国专利 :CN102064077A ,2011-05-18
[9]
利用低温晶片温度的离子束蚀刻 [P]. 
索斯藤·利尔 ;
伊凡·L·贝瑞三世 ;
安东尼·里奇 .
中国专利 :CN107123733B ,2017-09-01
[10]
利用低温晶片温度的离子束蚀刻 [P]. 
索斯藤·利尔 ;
伊凡·L·贝瑞三世 ;
安东尼·里奇 .
中国专利 :CN110634726B ,2019-12-31