多芯粒高密度封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322272707.5

申请日：

2023-08-23

公开(公告)号：

CN220710313U

公开(公告)日：

2024-04-02

发明(设计)人：

张玉赵玥

申请人：

江苏芯德半导体科技有限公司

申请人地址：

210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/31 H01L25/065

代理机构：

无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571

代理人：

王少卿

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	授权	授权
2024-08-06	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 23/498变更事项:专利权人变更前:江苏芯德半导体科技有限公司变更后:江苏芯德半导体科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号变更后:210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号

共 50 条

[1]

SOT高密度封装结构 [P].

陈永金 ;

林河北 ;

解维虎 ;

梅小杰 .

中国专利 :CN216213424U ,2022-04-05

[2]

扇出高密度封装结构 [P].

陶玉娟 ;

石磊 .

中国专利 :CN201994290U ,2011-09-28

[3]

一种高密度封装结构 [P].

汤振凯 ;

周正伟 ;

徐赛 ;

王赵云 ;

陆军 .

中国专利 :CN203910788U ,2014-10-29

[4]

无基板高密度封装结构 [P].

赵玥 ;

张亚文 ;

张玉 ;

郭红红 ;

张福森 ;

程振 .

中国专利 :CN221327693U ,2024-07-12

[5]

高密度SIP封装结构 [P].

喻明凡 .

中国专利 :CN206003765U ,2017-03-08

[6]

扇出高密度封装结构 [P].

陶玉娟 ;

石磊 .

中国专利 :CN102176445B ,2011-09-07

[7]

高密度封装引线框架结构及具有其的高密度封装结构 [P].

吴勇军 ;

张春辉 .

中国专利 :CN212113707U ,2020-12-08

[8]

一种高密度封装结构 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN207909859U ,2018-09-25

[9]

一种高密度射频多芯片封装结构 [P].

欧清海 ;

高强 ;

李良 ;

张忠瑞 ;

程大伟 ;

王峥 ;

赵东艳 ;

曾令康 ;

刘柱 ;

廖逍 .

中国专利 :CN106252339B ,2016-12-21

[10]

高密度系统级封装结构 [P].

孙鹏 ;

陈波 .

中国专利 :CN206893608U ,2018-01-16

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