优化多源炉分布的方法和分子束外延设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311282277.3

申请日：

2023-10-07

公开(公告)号：

CN117385455A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

彭长四周均铭王旭光倪健

申请人：

埃特曼半导体技术有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区后溪镇金岭北路159-7号101室

IPC主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B25/08 C30B25/14

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

李洋;李丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/16申请日:20231007
2024-01-12	公开	公开

共 50 条

[1]

裂解源炉和分子束外延设备 [P].

董海云 ;

倪健 ;

薛聪 .

中国专利 :CN218321746U ,2023-01-17

[2]

分子束外延设备的源炉及分子束外延设备 [P].

彭长四 ;

周均铭 ;

倪健 .

中国专利 :CN220867575U ,2024-04-30

[3]

分子束外延设备的源炉及分子束外延设备 [P].

彭长四 ;

周均铭 ;

倪健 .

中国专利 :CN220788877U ,2024-04-16

[4]

分子束外延用源炉以及分子束外延设备 [P].

张亚宾 ;

袁敏 ;

王利 ;

魏伟 ;

凌小伦 ;

张珽 .

中国专利 :CN221854738U ,2024-10-18

[5]

源炉装置及分子束外延设备 [P].

楼厦 ;

王旭光 ;

董海云 ;

倪健 .

中国专利 :CN221028781U ,2024-05-28

[6]

集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉 [P].

黄星星 ;

吴进 ;

毕诗博 ;

侯少毅 ;

胡强 .

中国专利 :CN115637490B ,2024-11-12

[7]

集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉 [P].

黄星星 ;

吴进 ;

毕诗博 ;

侯少毅 ;

胡强 .

中国专利 :CN115637490A ,2023-01-24

[8]

源炉挡板装置及分子束外延设备 [P].

彭长四 ;

周均铭 ;

董海云 ;

倪健 .

中国专利 :CN220867574U ,2024-04-30

[9]

分子束外延设备的样品台及分子束外延设备 [P].

楼厦 ;

倪健 ;

赵金堂 .

中国专利 :CN120425453A ,2025-08-05

[10]

分子束外延设备的样品台及分子束外延设备 [P].

楼厦 ;

倪健 ;

赵金堂 .

中国专利 :CN120425453B ,2025-12-26

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