晶圆外延生长的工艺温度确定方法和晶圆处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311820293.3

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN117790368A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

成航航王力李佳成

申请人：

西安奕斯伟材料科技股份有限公司西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/677 H01L21/66 C30B25/16 C30B29/06

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

丁文蕴

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20231227

共 50 条

[1]

外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置 [P].

俎世琦 ;

方圭哲 ;

张海博 .

中国专利 :CN120866935A ,2025-10-31

[2]

预热环、晶圆外延生长设备、外延生长方法及外延硅晶圆 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN120210953A ,2025-06-27

[3]

外延生长方法及外延晶圆 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN119320986A ,2025-01-17

[4]

外延生长方法及外延晶圆 [P].

杨金柱 ;

王力 .

中国专利 :CN115948797B ,2025-05-09

[5]

一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法 [P].

方砚涵 ;

王俊 ;

肖垚 ;

程洋 ;

郭银涛 ;

肖啸 ;

夏明月 ;

邓国亮 ;

杨火木 ;

周昊 ;

张弘 .

中国专利 :CN114855267A ,2022-08-05

[6]

外延生长方法以及外延晶圆 [P].

何斌斌 ;

俎世琦 ;

金柱炫 .

中国专利 :CN119230390A ,2024-12-31

[7]

外延生长晶圆及其制造方法 [P].

长谷川博之 .

中国专利 :CN108505114B ,2018-09-07

[8]

外延生长设备、外延生长方法以及外延晶圆 [P].

孙毅 ;

杨海龙 .

中国专利 :CN119764210A ,2025-04-04

[9]

外延生长设备、外延生长方法以及外延晶圆 [P].

孙毅 ;

杨海龙 .

中国专利 :CN119764210B ,2025-11-18

[10]

用于晶圆外延生长的基座和装置 [P].

张坤宇 ;

金柱炫 ;

俎世琦 .

中国专利 :CN119530959A ,2025-02-28

← 1 2 3 4 5 →