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ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、及び積層体の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190569017
申请日
:
2019-01-21
公开(公告)号
:
JPWO2019151019A1
公开(公告)日
:
2021-01-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/039
IPC分类号
:
G03F7/004
G03F7/38
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019065017A1
,2020-09-10
[2]
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004059392A1
,2006-04-27
[3]
重合体、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019181582A1
,2021-04-01
[4]
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015137485A1
,2017-04-06
[5]
レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja]
[P].
ISHIWATA KENTA
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ISHIWATA KENTA
;
KOORI DAISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOORI DAISUKE
;
YANO TOSHIHARU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
YANO TOSHIHARU
;
KOBAYASHI NAOKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOBAYASHI NAOKI
;
ARAIDA KEISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ARAIDA KEISUKE
.
日本专利
:JP2025009348A
,2025-01-20
[6]
ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005050319A1
,2007-06-07
[7]
フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012111450A1
,2014-07-03
[8]
レジスト組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP6138312B1
,2017-05-31
[9]
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法[ja]
[P].
MASUYAMA TATSURO
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SUMITOMO CHEMICAL CO
MASUYAMA TATSURO
;
SHIMADA MASAHIKO
论文数:
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0
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机构:
SUMITOMO CHEMICAL CO
SHIMADA MASAHIKO
;
ICHIKAWA KOJI
论文数:
0
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机构:
SUMITOMO CHEMICAL CO
ICHIKAWA KOJI
.
日本专利
:JP2022008650A
,2022-01-13
[10]
ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004077158A1
,2006-06-08
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