半導体チャネル材料及び窒素を含む、デバイス及びメモリ・アレイ[ja]

被引：0

申请号：

JP20220083473

申请日：

2022-05-23

公开(公告)号：

JP2022103430A

公开(公告)日：

2022-07-07

发明(设计)人：

CHRIS M CARLSON LIU HUNG-WEI LI JIE DIMITRIOS PAVLOPOULOS

申请人：

MICRON TECHNOLOGY INC

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H10B41/27 H10B41/30 H10B41/35 H10B41/40 H10B41/41 H10B43/27 H10B43/30 H10B43/35 H10B43/40

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

ＮＡＮＤメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにＮＡＮＤメモリ・アレイを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020526924A ,2020-08-31

[2]

メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023510877A ,2023-03-15

[3]

含窒素複素環アルケニル化合物、有機半導体材料及び有機半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6986692B2 ,2021-12-22

[4]

メモリセル及びメモリセルアレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2025172973A ,2025-11-26

[5]

有機半導体材料及び有機半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6647106B2 ,2020-02-14

[6]

半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7641447B2 ,2025-03-06

[7]

半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025502954A ,2025-01-30

[8]

光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17

[9]

メモリデバイス及び容量性エネルギー蓄積デバイス[ja] [P].

DAVID REGINALD CARVER ;

BRADFORD WESLEY FULFER ;

CHASE ANDREPONT ;

SEAN CLAUDIUS HALL ;

SHAN WILLIAM REYNOLDS .

日本专利 :JP2022070979A ,2022-05-13

[10]

メモリデバイス及び容量性エネルギー蓄積デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020501363A ,2020-01-16

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