多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311182279.5

申请日：

2023-09-13

公开(公告)号：

CN118280722A

公开(公告)日：

2024-07-02

发明(设计)人：

罗元竣康崙盛郑会烲金善花朴柄圭

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/008

IPC分类号：

H01G4/232 H01G4/30 H01G4/12 H01G13/00

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

游舒涵;包国菊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-02	公开	公开
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01G 4/008申请日:20230913

共 50 条

[1]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

千旼径 ;

崔裕真 ;

金明基 .

中国专利 :CN104916392A ,2015-09-16

[2]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

韩昇勳 ;

赵成珉 ;

吴东俊 .

中国专利 :CN109599266B ,2019-04-09

[3]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[4]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

崔虎森 ;

沈揆正 ;

崔孝成 ;

朴廷振 ;

李种晧 .

韩国专利 :CN118197802A ,2024-06-14

[5]

多层陶瓷电子组件以及制造该多层陶瓷电子组件的方法 [P].

李承澔 ;

金锺翰 ;

李旼坤 ;

李崙熙 ;

李成焕 .

中国专利 :CN105206422A ,2015-12-30

[6]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

[7]

多层电子组件及制造多层电子组件的方法 [P].

李昇娟 ;

金龙九 ;

金知元 ;

林显珉 ;

姜晟馨 ;

曹东秀 .

韩国专利 :CN120221270A ,2025-06-27

[8]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

金泰亨 ;

朴文秀 ;

刘志贤 ;

蒋进佑 .

中国专利 :CN114724850A ,2022-07-08

[9]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

田仁浩 ;

朴然庭 ;

金珍友 ;

金美良 ;

朴世允 .

韩国专利 :CN117352300A ,2024-01-05

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

姜东佑 .

韩国专利 :CN118522563A ,2024-08-20

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