金属化半導体ダイ及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230563004

申请日：

2022-03-08

公开(公告)号：

JP2024515633A

公开(公告)日：

2024-04-10

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/329

IPC分类号：

H01L21/301 H01L23/12

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共 50 条

[1]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

TAO LONG ;

LEE SPENCER RILEY ;

HUANG PIN-HAO ;

HUANG BAU-SHUN ;

CHEN ZE RUI .

日本专利 :JP2025076982A ,2025-05-16

[2]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003052829A1 ,2005-04-28

[3]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6305596B1 ,2018-04-04

[4]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007020688A1 ,2009-02-19

[5]

半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021526308A ,2021-09-30

[6]

窒化炭素、その製造方法、及び半導体材料[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019130983A1 ,2020-12-10

[7]

多孔質半導体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004006969A1 ,2005-11-10

[8]

半導体素子の製造方法及び半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018055838A1 ,2019-07-18

[9]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

SHIMABAYASHI MASAHARU .

日本专利 :JP2025051052A ,2025-04-04

[10]

半導体構造およびその製造方法[ja] [P].

CHUANG CHIAO-SHUN ;

KUO TACHUAN .

日本专利 :JP2024155723A ,2024-10-31

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