半导体集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410555927.5

申请日：

2024-05-07

公开(公告)号：

CN118946141A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

金俊植

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;林潮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240507
2024-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

斋藤直人 ;

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN1953149A ,2007-04-25

[2]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

张东烈 ;

李泰政 ;

金成焕 ;

李受哲 .

中国专利 :CN1877834A ,2006-12-13

[3]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

甲藤久郎 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN86100841A ,1986-07-30

[4]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

本间琢朗 ;

堀田胜彦 ;

森山卓史 .

中国专利 :CN101866866A ,2010-10-20

[5]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

铃木范夫 ;

壹添宏之 ;

児岛雅之 ;

冈本圭司 ;

堀部晋一 ;

渡部浩三 ;

吉田安子 ;

池田修二 ;

高松朗 ;

石塚典男 ;

荻岛淳史 ;

下田真岐 .

中国专利 :CN1540743A ,2004-10-27

[6]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

铃木范夫 ;

壹添宏之 ;

児岛雅之 ;

冈本圭司 ;

堀部晋一 ;

渡部浩三 ;

吉田安子 ;

池田修二 ;

高松朗 ;

石塚典男 ;

荻岛淳史 ;

下田真岐 .

中国专利 :CN1338115A ,2002-02-27

[7]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

薄網弘久 ;

津国和之 ;

児岛雅之 ;

野尻一男 ;

风本圭司 .

中国专利 :CN1124407A ,1996-06-12

[8]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

西田彰男 ;

吉田安子 ;

池田修二 .

中国专利 :CN101174633A ,2008-05-07

[9]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

长谷川尚 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1819203A ,2006-08-16

[10]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

古田博伺 ;

白井隆之 ;

名贺俊作 .

中国专利 :CN101814532A ,2010-08-25

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