半导体集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610091601.3

申请日：

2006-06-06

公开(公告)号：

CN1877834A

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

张东烈李泰政金成焕李受哲

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

H01L23522 H01L23552 H01L21822 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-29	授权	授权
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴永焕 ;

朴俊赫 ;

吴在浚 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN115346981A ,2022-11-15

[2]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴永焕 ;

朴俊赫 ;

吴在浚 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN115346981B ,2025-12-19

[3]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

酒井哲 ;

平岩笃 ;

山本智志 .

中国专利 :CN100334732C ,2005-05-25

[4]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1516259A ,2004-07-28

[5]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1238557A ,1999-12-15

[6]

集成电路及其制造方法和半导体器件 [P].

安德烈亚斯·迈泽尔 ;

卡尔-海因茨·格布哈特 ;

蒂尔·施勒塞尔 ;

德特勒夫·韦伯 .

中国专利 :CN107393871A ,2017-11-24

[7]

半导体装置、集成电路器件及其制造方法 [P].

林政明 ;

石哲齐 ;

温伟源 ;

廖思雅 ;

伊莎·达泰 ;

山姆·瓦泽里 ;

陈柏羽 ;

吴政鸿 ;

张简维平 ;

鲍新宇 .

中国专利 :CN119517867A ,2025-02-25

[8]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

斋藤直人 ;

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN1953149A ,2007-04-25

[9]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

甲藤久郎 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN86100841A ,1986-07-30

[10]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

本间琢朗 ;

堀田胜彦 ;

森山卓史 .

中国专利 :CN101866866A ,2010-10-20

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