半导体集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210285504.7

申请日：

2022-03-22

公开(公告)号：

CN115346981B

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

黄瑄珪金钟燮金俊溶朴永焕朴俊赫吴在浚黄仁俊

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/82

IPC分类号：

H10D84/03 H10D62/17 H10D30/47

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴永焕 ;

朴俊赫 ;

吴在浚 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN115346981A ,2022-11-15

[2]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

张东烈 ;

李泰政 ;

金成焕 ;

李受哲 .

中国专利 :CN1877834A ,2006-12-13

[3]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

斋藤直人 ;

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN1953149A ,2007-04-25

[4]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

甲藤久郎 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN86100841A ,1986-07-30

[5]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

本间琢朗 ;

堀田胜彦 ;

森山卓史 .

中国专利 :CN101866866A ,2010-10-20

[6]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

铃木范夫 ;

壹添宏之 ;

児岛雅之 ;

冈本圭司 ;

堀部晋一 ;

渡部浩三 ;

吉田安子 ;

池田修二 ;

高松朗 ;

石塚典男 ;

荻岛淳史 ;

下田真岐 .

中国专利 :CN1540743A ,2004-10-27

[7]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

铃木范夫 ;

壹添宏之 ;

児岛雅之 ;

冈本圭司 ;

堀部晋一 ;

渡部浩三 ;

吉田安子 ;

池田修二 ;

高松朗 ;

石塚典男 ;

荻岛淳史 ;

下田真岐 .

中国专利 :CN1338115A ,2002-02-27

[8]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

金俊植 .

韩国专利 :CN118946141A ,2024-11-12

[9]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

薄網弘久 ;

津国和之 ;

児岛雅之 ;

野尻一男 ;

风本圭司 .

中国专利 :CN1124407A ,1996-06-12

[10]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

西田彰男 ;

吉田安子 ;

池田修二 .

中国专利 :CN101174633A ,2008-05-07

← 1 2 3 4 5 →