金属栅晶体管的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411546963.1
申请日
2024-10-31
公开(公告)号
CN119421481A
公开(公告)日
2025-02-11
发明(设计)人
孙佳欣
申请人
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H10D84/03
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
金属栅晶体管的制造方法 [P]. 
孙佳欣 ;
许家彰 .
中国专利 :CN119486248A ,2025-02-18
[2]
金属栅晶体管的制造方法 [P]. 
张鹏 .
中国专利 :CN115116836A ,2022-09-27
[3]
金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
翁文寅 .
中国专利 :CN113517194A ,2021-10-19
[4]
高K金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
张盛东 ;
韩汝琦 ;
韩德栋 .
中国专利 :CN102110614A ,2011-06-29
[5]
金属栅MOS晶体管 [P]. 
翁文寅 .
中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12
[6]
高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN112420502A ,2021-02-26
[7]
具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P]. 
杨志刚 ;
冷江华 ;
刘珩 ;
关天鹏 .
中国专利 :CN113643981A ,2021-11-12
[8]
具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P]. 
杨志刚 ;
冷江华 ;
刘珩 ;
关天鹏 .
中国专利 :CN113643981B ,2024-06-11
[9]
浮栅晶体管的制造方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN103545203A ,2014-01-29
[10]
制造双栅晶体管的方法 [P]. 
巴特罗米杰·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN101501861B ,2009-08-05