半导体器件、半导体器件的制备方法和芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311252868.6

申请日：

2023-09-26

公开(公告)号：

CN119730370A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

王启权赵汇涛许达董紫剑

申请人：

华为技术有限公司

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03

代理机构：

北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329

代理人：

王君;肖鹂

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制备方法和半导体器件 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885771A ,2021-06-01

[2]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片 [P].

张露 ;

黄元琪 ;

温雅楠 ;

吴俊慷 ;

丁泊宁 ;

赵智彪 ;

许俊豪 .

中国专利 :CN117747618A ,2024-03-22

[3]

半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

赵静 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108369946A ,2018-08-03

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

园田真久 ;

井口直 ;

角田弘昭 ;

坂上荣人 .

中国专利 :CN1490882A ,2004-04-21

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816A ,2021-08-13

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN102569296A ,2012-07-11

[9]

半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法 [P].

薛珉洙 ;

卞卿溵 ;

金昌炫 ;

李殷奎 .

韩国专利 :CN119835999A ,2025-04-15

[10]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

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