多芯片晶片级封装及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810022467.4

申请日：

2018-01-10

公开(公告)号：

CN109727964B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

陈硕懋许峯诚黄翰祥刘献文郑心圃李孝文

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10D80/30

IPC分类号：

H10D80/20 H01L23/31 H01L21/98

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 80/30申请日:20180110授权公告日:20250425原专利权期满终止日:20380110现专利权期满终止日:20390715
2025-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

多芯片晶片级封装及其形成方法 [P].

陈硕懋 ;

许峯诚 ;

黄翰祥 ;

刘献文 ;

郑心圃 ;

李孝文 .

中国专利 :CN109727964A ,2019-05-07

[2]

倒装芯片晶片级封装及其方法 [P].

T.迈尔 .

中国专利 :CN103915414A ,2014-07-09

[3]

一种多芯片晶圆级封装结构及其形成方法 [P].

孙鹏 ;

徐成 ;

曹立强 .

中国专利 :CN114864554A ,2022-08-05

[4]

多芯片晶圆级封装 [P].

余俊辉 ;

董志航 ;

邵栋梁 ;

余振华 ;

史达元 .

中国专利 :CN102931173B ,2013-02-13

[5]

形成共面晶片级芯片封装的方法 [P].

罗伊德·巴雷尔 ;

陈浩 ;

许履尘 ;

沃尔夫冈·索特 .

中国专利 :CN101027765A ,2007-08-29

[6]

多芯片晶圆级封装的方法 [P].

董志航 ;

余俊辉 ;

余振华 ;

史达元 .

中国专利 :CN102931102A ,2013-02-13

[7]

多芯片扇出型封装及其形成方法 [P].

余振华 ;

林俊成 ;

洪瑞斌 .

中国专利 :CN103219309B ,2013-07-24

[8]

晶片级封装传感器装置、芯片卡模块及其形成方法 [P].

弗兰克·皮施纳 ;

马克·帕维尔 ;

贝恩德·埃伯斯贝格尔 .

德国专利 :CN118212663A ,2024-06-18

[9]

多芯片晶圆级半导体封装构造 [P].

翁肇甫 ;

车玉娇 ;

王昱祺 .

中国专利 :CN202423279U ,2012-09-05

[10]

多芯片晶圆级半导体封装构造 [P].

翁肇甫 ;

王昱祺 .

中国专利 :CN202394963U ,2012-08-22

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