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半导体器件和半导体器件的操作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411723082.2
申请日：
2024-11-28
公开(公告)号：
CN120220763A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
都甲锡 裴闰喆
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
G11C13/00
IPC分类号：
代理机构：
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人：
许伟群;李少丹
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-27 公开 公开
2025-07-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 13/00申请日:20241128
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的操作方法 [P]. 
郑椿锡 .
中国专利 :CN104425411B ,2015-03-18
[2]
半导体器件和半导体器件的操作方法 [P]. 
李宗祐 ;
李在训 ;
李钟娓 ;
赵丙学 .
中国专利 :CN107171669B ,2017-09-15
[3]
半导体器件和半导体器件的操作方法 [P]. 
金龙竴 ;
李桂宪 ;
梁海宗 ;
林灿 ;
郑玟珪 .
中国专利 :CN110459252A ,2019-11-15
[4]
半导体器件和该半导体器件的操作方法 [P]. 
李熙烈 .
中国专利 :CN109961812A ,2019-07-02
[5]
半导体器件、半导体系统和半导体器件的操作方法 [P]. 
宋清基 .
韩国专利 :CN120472955A ,2025-08-12
[6]
半导体器件以及半导体器件的操作方法 [P]. 
李熙烈 .
中国专利 :CN111081301A ,2020-04-28
[7]
半导体器件以及半导体器件的操作方法 [P]. 
彭文林 .
中国专利 :CN119724291A ,2025-03-28
[8]
半导体器件以及半导体器件的操作方法 [P]. 
川野孝浩 .
中国专利 :CN104218951A ,2014-12-17
[9]
半导体器件、半导体器件的操作方法以及制造方法 [P]. 
李宰演 .
韩国专利 :CN119207515A ,2024-12-27
[10]
薄半导体器件和薄半导体器件的操作方法 [P]. 
山崎舜平 ;
荒井康行 ;
馆村祐子 ;
长多刚 .
中国专利 :CN1938721B ,2007-03-28
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