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一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411847283.3
申请日：
2024-12-16
公开(公告)号：
CN119635420B
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
刘欣宇 袁振洲 詹琳 阮俊海
申请人：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址：
210000 江苏省南京市自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2189室
IPC主分类号：
B24B1/00
IPC分类号：
B24B29/02
代理机构：
南京佰腾智信知识产权代理事务所(普通合伙) 32509
代理人：
郭林
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-07-29 授权 授权
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):B24B 1/00申请日:20241216
共 50 条
[1]
一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法 [P]. 
刘欣宇 ;
袁振洲 ;
詹琳 ;
阮俊海 .
中国专利 :CN119635420A ,2025-03-18
[2]
一种碳化硅晶圆单面抛光自动化产线 [P]. 
黄家剑 ;
贺贤汉 ;
胡烺 .
中国专利 :CN115415913A ,2022-12-02
[3]
一种碳化硅晶圆表面抛光方法 [P]. 
左晓磊 ;
王磊 ;
张康 ;
刘永进 ;
李婷 .
中国专利 :CN118123697A ,2024-06-04
[4]
碳化硅晶圆抛光装置 [P]. 
韩波 ;
韩宗考 ;
孟璇 .
中国专利 :CN120480794A ,2025-08-15
[5]
一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法 [P]. 
王万堂 ;
王蓉 ;
皮孝东 ;
鲁雪松 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN118493094B ,2024-10-08
[6]
一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法 [P]. 
王万堂 ;
王蓉 ;
皮孝东 ;
鲁雪松 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN118493094A ,2024-08-16
[7]
一种碳化硅晶圆抛光液 [P]. 
梁振 .
中国专利 :CN116656243B ,2024-03-29
[8]
碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法 [P]. 
林秀岩 ;
曹力力 ;
陈伟 ;
张永熙 ;
袁志巧 .
中国专利 :CN120322001A ,2025-07-15
[9]
一种高质量碳化硅抛光液及碳化硅晶圆 [P]. 
陈晓青 .
中国专利 :CN118497877A ,2024-08-16
[10]
一种用于碳化硅晶圆的抛光垫及抛光方法 [P]. 
张莉娟 .
中国专利 :CN117067104B ,2024-01-02
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