改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510810075.4

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120809678A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

丁亚钦李晓强黄加香彭子昱陈明奇单夕朝王妍吴傲君李宗旭梁金娥赵正元张守龙

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司华虹半导体制造（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250617
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

改善层间介质层研磨返工工艺的方法 [P].

徐莹 ;

罗飞 ;

周维 .

中国专利 :CN103972048A ,2014-08-06

[2]

层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN106531685B ,2017-03-22

[3]

改善NORD Flash层间介质层填充的方法 [P].

王会一 ;

周海洋 ;

程国庆 ;

沈权豪 .

中国专利 :CN117998862A ,2024-05-07

[4]

改善层间介质层厚度均匀性的方法 [P].

张磊 ;

王晓日 ;

禹楼飞 ;

高国磊 .

中国专利 :CN115527859A ,2022-12-27

[5]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[6]

层间介质层的填充方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN108389831A ,2018-08-10

[7]

一种改善层间介质层空洞的方法 [P].

黄胜男 ;

罗清威 ;

李赟 .

中国专利 :CN108630526B ,2018-10-09

[8]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[9]

层间介质层的制作方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN101645411A ,2010-02-10

[10]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

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