半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410913075.2

申请日：

2024-07-09

公开(公告)号：

CN120897486A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

兵头功

申请人：

株式会社东芝东芝电子元件及存储装置株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D64/62 H10D30/01

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘英华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20240709

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

中山知士 ;

绵贯真一 ;

小松大士 ;

桑岛照弘 ;

小仓卓 ;

奥秋广幸 ;

清水繁明 .

日本专利 :CN109979949B ,2024-06-28

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈崎拓行 .

日本专利 :CN116569313B ,2025-04-18

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

王贻泓 ;

龚晖轩 ;

黄以理 ;

林盈汝 .

中国专利 :CN119497412A ,2025-02-21

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

金一道 ;

吕丞美 ;

金承范 .

韩国专利 :CN118571878A ,2024-08-30

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

及川贵弘 .

中国专利 :CN101145572A ,2008-03-19

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

中山知士 ;

绵贯真一 ;

小松大士 ;

桑岛照弘 ;

小仓卓 ;

奥秋广幸 ;

清水繁明 .

中国专利 :CN109979949A ,2019-07-05

[8]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[9]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[10]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

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