反应腔及化学气相沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202423109157.6

申请日：

2024-12-16

公开(公告)号：

CN223620469U

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

李瑞许燚南

申请人：

中晟半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区(上海)自由贸易试验区临港新片区妙香路2189号

IPC主分类号：

C23C16/44

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

胡娟娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

反应腔室及化学气相沉积设备 [P].

杨盟 .

中国专利 :CN101921995B ,2010-12-22

[2]

化学气相沉积反应腔装置及具有其的化学气相沉积设备 [P].

董志清 .

中国专利 :CN102776488B ,2012-11-14

[3]

化学气相沉积设备的反应腔室 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN202450155U ,2012-09-26

[4]

反应腔室以及化学气相沉积设备 [P].

顾武强 ;

潘琦 .

中国专利 :CN104878367A ,2015-09-02

[5]

化学气相沉积设备的反应腔室 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103074602A ,2013-05-01

[6]

反应腔及具有其的化学气相沉积设备 [P].

徐亚伟 .

中国专利 :CN102732860B ,2012-10-17

[7]

化学气相沉积反应腔 [P].

吴铭钦 ;

刘峰 .

中国专利 :CN112176324A ,2021-01-05

[8]

化学气相沉积反应腔 [P].

吴铭钦 ;

刘峰 .

中国专利 :CN213388891U ,2021-06-08

[9]

化学气相沉积反应腔 [P].

吴铭钦 ;

刘峰 .

中国专利 :CN112176324B ,2025-03-25

[10]

化学气相沉积炉及化学气相沉积设备 [P].

朱伟杰 ;

顾志强 ;

戴建庭 ;

董宁 ;

李强 .

中国专利 :CN209522919U ,2019-10-22

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