具有缩短沟道长度和高V<sub>th</sub>的SiC MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210103428.3

申请日：

2022-01-27

公开(公告)号：

CN114944338B

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

大卫·谢里登阿拉什·萨莱米马督尔·博德

申请人：

万国半导体国际有限合伙公司

申请人地址：

加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/17 H10D62/832 H10D30/65

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

董科

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	授权	授权

共 28 条

[1]

具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET [P].

大卫·谢里登 ;

阿拉什·萨莱米 ;

马督尔·博德 .

中国专利 :CN114944338A ,2022-08-26

[2]

缩短沟道长度的半导体器件 [P].

熊谷浩一 .

中国专利 :CN1198018A ,1998-11-04

[3]

具有高沟道迁移率的SiC-MOSFET [P].

安东·毛德 ;

罗兰·鲁普 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN103000670A ,2013-03-27

[4]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

法国专利 :CN112309982B ,2025-05-09

[5]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

中国专利 :CN112309982A ,2021-02-02

[6]

具有多沟道长度的垂直场效应晶体管器件 [P].

R·维尼加拉 ;

R·A·维加 ;

H·马莱拉 .

中国专利 :CN109314140A ,2019-02-05

[7]

具有高击穿电压的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>场效应晶体管 [P].

冯倩 ;

赵晔 ;

蔡云匆 ;

王文涛 ;

高虎虎 ;

张进成 .

中国专利 :CN118016692A ,2024-05-10

[8]

具有增加的有效沟道长度的半导体器件的制造方法 [P].

郑弘植 ;

金奇南 ;

黄有商 .

中国专利 :CN100428442C ,2003-11-26

[9]

具有高续流能力的SIC MOSFET器件 [P].

王坤 ;

杨程 ;

王正 ;

万胜堂 ;

马驰远 ;

朱秀梅 ;

王毅 .

中国专利 :CN223584622U ,2025-11-21

[10]

具有不同沟道长度和可比较的源极/漏极空间的晶体管 [P].

K·林 ;

H·朴 ;

鲍军静 ;

杨海宁 .

美国专利 :CN120814353A ,2025-10-17