INFRARED-ABSORPTION PROPERTIES OF THE EL2 AND THE ISOLATED ASGA DEFECTS IN NEUTRON-TRANSMUTATION-DOPED GAAS - GENERATION OF AN EL2-LIKE DEFECT

被引:26
作者
MANASREH, MO
FISCHER, DW
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 05期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.39.3239
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:3239 / 3249
页数:11
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