INSITU MOBILITY PROFILING OF GAAS-MESFETS USING THE HALL CURRENT TECHNIQUE

被引：2

作者：

ANDREOU, AG

WESTGATE, CR

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23104

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1441 / 1447

页数：7

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