INSITU MOBILITY PROFILING OF GAAS-MESFETS USING THE HALL CURRENT TECHNIQUE

被引:2
作者
ANDREOU, AG
WESTGATE, CR
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1987.23104
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:1441 / 1447
页数:7
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