THE USE OF BIAS IN ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY FOR IMPROVED PROFILE QUALITY AND LINEWIDTH CONTROL

被引:12
作者
ROSENFIELD, MG [1 ]
NEUREUTHER, AR [1 ]
TING, CH [1 ]
机构
[1] UNIV CALIF BERKELEY,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 04期
关键词
D O I
10.1116/1.571253
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1242 / 1247
页数:6
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