INSITU INVESTIGATION OF THE OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE AMORPHOUS SILICON INTERFACES

被引:70
作者
DREVILLON, B [1 ]
KUMAR, S [1 ]
CABARROCAS, PRI [1 ]
SIEFERT, JM [1 ]
机构
[1] SOLEMS SA,F-91124 PALAISEAU,FRANCE
关键词
D O I
10.1063/1.101511
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:2088 / 2090
页数:3
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