偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Al透明导电膜

被引：8

作者：

杨田林

高绪团

韩盛浩

机构：

[1] 山东理工大学物理系

[2] 山东大学物理与微电子学院

[3] 山东省淄博市

[4] 山东省济南市

来源：

曲阜师范大学学报(自然科学版) | 2002年 / 04期

关键词：

光电性质; AZO薄膜; 偏压溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 .

引用

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页数：5

共 6 条

[1] 有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究 [J].