VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF HIGH-PURITY GAAS WITH THE ASCL3-GA-N2 SYSTEM

被引:11
作者
LIN, LY
LIN, YW
ZHONG, XR
ZHANG, YY
LI, HL
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-0248(82)90452-3
中图分类号
O7 [晶体学];
学科分类号
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要
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页码:344 / 349
页数:6
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