ELIMINATION OF GAAS OVAL DEFECTS AND HIGH-THROUGHPUT FABRICATION OF SELECTIVELY DOPED ALXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURES BY MBE

被引:20
作者
FRONIUS, H
FISCHER, A
PLOOG, K
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-0248(87)90386-1
中图分类号
O7 [晶体学];
学科分类号
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
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页数:6
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