PLASMA-ASSISTED ETCHING MECHANISMS - THE IMPLICATIONS OF REACTION PROBABILITY AND HALOGEN COVERAGE

被引:120
作者
WINTERS, HF
COBURN, JW
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 05期
关键词
D O I
10.1116/1.582996
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:1376 / 1383
页数:8
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