EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON TRANSISTORS WITH IMPLANTED BASES

被引:26
作者
ASHBURN, P [1 ]
BULL, C [1 ]
NICHOLAS, KH [1 ]
BOOKER, GR [1 ]
机构
[1] MULLARD RES LABS,REDHILL RH1 5HA,SURREY,ENGLAND
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(77)90001-6
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:731 / 740
页数:10
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