COMPARISON BETWEEN ATOMIC CONCENTRATION PROFILES AND DEFECT DENSITY PROFILES IN GAAS ANNEALED AFTER IMPLANTATION WITH BERYLLIUM

被引:10
作者
LEE, KS
ESS, JM
LITTLEJOHN, MA
BENSON, RB
COMAS, J
机构
[1] N CAROLINA STATE UNIV, RALEIGH, NC 27650 USA
[2] USN, RES LAB, WASHINGTON, DC 20375 USA
关键词
D O I
10.1007/BF02655223
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:185 / 196
页数:12
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