半导体结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910223078.2

申请日：

2019-03-22

公开(公告)号：

CN111725068A

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

刘中元赵鹏马孝田

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190322
2020-09-29	公开	公开

共 50 条

[21]

半导体结构形成方法及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN111696941B ,2024-12-06

[22]

一种半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王晓雯 ;

仲凯 ;

许竞翔 .

中国专利 :CN119890041A ,2025-04-25

[23]

一种半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王晓雯 ;

仲凯 ;

许竞翔 .

中国专利 :CN119890041B ,2025-10-21

[24]

半导体结构形成 [P].

N·R·塔皮亚斯 ;

S·萨帕 ;

A·A·汉德卡 ;

胡申 .

中国专利 :CN111799214A ,2020-10-20

[25]

半导体结构形成 [P].

胡申 ;

刘鸿威 ;

李晓 ;

解志强 ;

C·施塔勒 ;

J·B·赫尔 ;

A·A·卡恩德卡尔 ;

T·A·菲古拉 .

中国专利 :CN113013165A ,2021-06-22

[26]

半导体结构形成方法和该结构 [P].

翁－耶·希恩 ;

陈建 ;

比希－安·阮 ;

马里亚姆·G·萨达卡 ;

张达 .

中国专利 :CN101341597A ,2009-01-07

[27]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

中国专利 :CN112992791A ,2021-06-18

[28]

半导体结构形成 [P].

S·萨卡尔 ;

J·A·伊莫尼吉 ;

K·H·庄 ;

J·J·J·穆图拉伊 ;

亚诺什·富克斯科 ;

B·E·格林伍德 ;

F·M·古德 .

美国专利 :CN113130754B ,2025-04-11

[29]

半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置 [P].

李凯文 ;

花文涛 ;

赵振阳 ;

宋佳 .

中国专利 :CN120882025A ,2025-10-31

[30]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

美国专利 :CN112992791B ,2024-03-12

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