包括电容器元件的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910127913.9

申请日：

2009-03-25

公开(公告)号：

CN101546772B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

井上显

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L29423 H01L218239 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609548809 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2009101279139 申请日:20090325 授权公告日:20110525 终止日期:20140325
2011-05-25	授权	授权
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电容器元件、半导体器件及其制造方法 [P].

南相釪 .

中国专利 :CN1979850B ,2007-06-13

[2]

具有电容器元件的半导体器件 [P].

井上显 ;

井上智子 .

中国专利 :CN101447503B ,2009-06-03

[3]

包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

竹中圭一 ;

酒井伊都子 ;

成田雅贵 ;

大岩德久 ;

三田淳夫 ;

矢桥胜典 .

中国专利 :CN1518113A ,2004-08-04

[4]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[5]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梁飞龙 ;

洪锡敬 ;

李承锡 ;

姜南守 .

中国专利 :CN1173407C ,2001-07-04

[6]

包括电容器的半导体器件 [P].

陈纮扬 ;

林天声 ;

邱奕正 ;

林宏洲 ;

陈益民 ;

吴国铭 ;

钟久华 .

中国专利 :CN110970405A ,2020-04-07

[7]

包括电容器的半导体器件 [P].

姜相列 ;

曹圭镐 ;

林汉镇 ;

黄澈盛 .

中国专利 :CN110034099A ,2019-07-19

[8]

包括电容器的半导体器件 [P].

朴硕汉 .

中国专利 :CN111384054A ,2020-07-07

[9]

包括电容器的半导体器件 [P].

朴硕汉 .

韩国专利 :CN111384054B ,2024-01-09

[10]

包括电容器的半导体器件 [P].

朴正敏 ;

林汉镇 ;

丁炯硕 .

韩国专利 :CN118301933A ,2024-07-05

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