包括电容器元件的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910127913.9

申请日：

2009-03-25

公开(公告)号：

CN101546772B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

井上显

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L29423 H01L218239 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609548809 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2009101279139 申请日:20090325 授权公告日:20110525 终止日期:20140325
2011-05-25	授权	授权
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[41]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

朴泳震 .

中国专利 :CN1148731A ,1997-04-30

[42]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

朴钟范 ;

吴勋静 ;

金京民 .

中国专利 :CN1329975C ,2004-01-14

[43]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

[44]

电容器结构、包括其的半导体器件和制造电容器结构的方法 [P].

赵天钦 ;

白东官 ;

蒋在完 ;

金铉彬 ;

李峻硕 .

韩国专利 :CN120343927A ,2025-07-18

[45]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13

[46]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

韩国专利 :CN113964269B ,2025-11-11

[47]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN113964269A ,2022-01-21

[48]

电容器及其制造方法、以及包含该电容器的半导体器件 [P].

山岸康男 ;

盐贺健司 ;

约翰·D.·班尼基 ;

栗原和明 .

中国专利 :CN1964077B ,2007-05-16

[49]

具有铁电电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

藤木充司 ;

和泉宇俊 ;

佐次田直也 ;

土手晓 .

中国专利 :CN1808717A ,2006-07-26

[50]

半导体MOS、CMOS器件和电容器及其制造方法 [P].

D·M·埃皮奇 ;

R·A·维默 .

中国专利 :CN100388426C ,2006-06-07

← 1 2 3 4 5 →