包括电容器元件的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910127913.9

申请日：

2009-03-25

公开(公告)号：

CN101546772B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

井上显

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L29423 H01L218239 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609548809 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2009101279139 申请日:20090325 授权公告日:20110525 终止日期:20140325
2011-05-25	授权	授权
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[31]

半导体器件中的电容器及其制造方法 [P].

奇安度 .

中国专利 :CN100474633C ,2007-06-27

[32]

电容器、包括该电容器的半导体器件及包括该半导体器件的电子装置 [P].

宋政奎 ;

曹恩爱 ;

韩娜莱 ;

金汎锡 ;

金载兴 ;

李周浩 ;

崔源湜 .

韩国专利 :CN118057607A ,2024-05-21

[33]

用于半导体器件的电容器及其制造方法 [P].

曹元喆 .

中国专利 :CN1183636A ,1998-06-03

[34]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1392613A ,2003-01-22

[35]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

毕嘉慧 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN101174621B ,2008-05-07

[36]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

[37]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN102176457A ,2011-09-07

[38]

半导体元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

洪炳涉 .

中国专利 :CN1384539A ,2002-12-11

[39]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1120524C ,1998-09-09

[40]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

徐源善 .

中国专利 :CN1540746A ,2004-10-27

← 1 2 3 4 5 →