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包括电容器元件的半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200910127913.9
申请日：
2009-03-25
公开(公告)号：
CN101546772B
公开(公告)日：
2009-09-30
发明(设计)人：
井上显
申请人：
申请人地址：
日本神奈川
IPC主分类号：
H01L27105
IPC分类号：
H01L29423
H01L218239
H01L2128
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
孙志湧;穆德骏
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-05-13 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609548809 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2009101279139 申请日:20090325 授权公告日:20110525 终止日期:20140325 |
| 2011-05-25 | 授权 | 授权 |
| 2009-09-30 | 公开 | 公开 |
| 2009-11-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |