制备大面积多晶硅方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710149348.7

申请日：

2007-08-23

公开(公告)号：

CN101195927A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

余建军

申请人：

申请人地址：

214205江苏省宜兴市环科园绿园路48号

IPC主分类号：

C30B2802

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

宜兴市天宇知识产权事务所

代理人：

史建群;李妙英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	授权	授权
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备大面积多晶薄膜的方法 [P].

张宏勇 ;

邹福松 .

中国专利 :CN101908471A ,2010-12-08

[2]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

[3]

制备多晶硅层的方法 [P].

叶昱均 ;

许民庆 .

中国专利 :CN104253026A ,2014-12-31

[4]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[5]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[6]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[7]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[8]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[9]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

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