等离子体处理晶片的方法、等离子体控制方法及反应系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710407467.1

申请日：

2017-06-02

公开(公告)号：

CN108987227B

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

陈嘉任顾文昱吴奇颖林燕飞陈冠中陈嘉直

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

冯志云;王芝艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20170602
2018-12-11	公开	公开
2022-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

周虎 ;

刘身健 ;

谢小兵 ;

严利均 .

中国专利 :CN106937472A ,2017-07-07

[2]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

岩井哲博 ;

古川良太 .

中国专利 :CN1175477C ,2002-11-20

[3]

等离子体处理装置、及等离子体处理方法 [P].

吉森大晃 ;

嘉瀬庆久 ;

中泽和辉 .

中国专利 :CN115116813A ,2022-09-27

[4]

等离子体处理装置和等离子体控制方法 [P].

輿水地盐 ;

传宝一树 .

中国专利 :CN102376521A ,2012-03-14

[5]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[6]

等离子体处理装置、生成等离子体反应容器的制造方法及等离子体处理方法 [P].

柴田哲司 ;

山崎圭一 ;

田口典幸 ;

泽田康志 .

中国专利 :CN1323751C ,2005-11-23

[7]

等离子体处理装置以及等离子体处理方法 [P].

具滋明 ;

肖特拉克尔言 ;

具重谟 ;

赵台勋 .

韩国专利 :CN112151344B ,2024-07-09

[8]

等离子体处理装置以及等离子体处理方法 [P].

具滋明 ;

肖特拉克尔言 ;

具重谟 ;

赵台勋 .

中国专利 :CN112151344A ,2020-12-29

[9]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

佐藤阳介 ;

宇井明生 ;

林久贵 .

中国专利 :CN105280489A ,2016-01-27

[10]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

有田洁 ;

岩井哲博 ;

寺山纯一 .

中国专利 :CN1516890A ,2004-07-28

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