高密度管脚QFN的封装结构与方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911203620.4

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN111106089A

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

尹保冠陈建超于上家

申请人：

申请人地址：

266100 山东省青岛市崂山区松岭路396号106室

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L23544 H01L2148 H01L2160

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

王守梅;袁文婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	公开	公开
2021-08-17	授权	授权
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/495 申请日:20191129

共 50 条

[1]

高密度桥连封装方法和封装结构 [P].

徐玉鹏 ;

钟磊 ;

何正鸿 ;

简志宏 .

中国专利 :CN121034962A ,2025-11-28

[2]

高密度衬底叠层封装结构和封装方法 [P].

何正鸿 ;

戴风伟 ;

简志宏 ;

田旭 .

中国专利 :CN119133139B ,2025-03-07

[3]

高密度衬底叠层封装结构和封装方法 [P].

何正鸿 ;

戴风伟 ;

简志宏 ;

田旭 .

中国专利 :CN119133139A ,2024-12-13

[4]

表面组装与元器件高密度互连封装结构 [P].

严俊 ;

王鹏 ;

曹辉 ;

吴宪军 ;

高健 ;

赵华 ;

宋宪辉 ;

刘红乾 ;

胡道敏 ;

周海龙 .

中国专利 :CN223566615U ,2025-11-18

[5]

高密度半导体封装结构的封装方法 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN103515257A ,2014-01-15

[6]

高密度半导体封装结构 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN202633290U ,2012-12-26

[7]

一种高密度QFN封装器件的制造方法 [P].

秦飞 ;

夏国峰 ;

安彤 ;

刘程艳 ;

武伟 ;

朱文辉 .

中国专利 :CN103021876A ,2013-04-03

[8]

一种半导体封装电路的新型高密度框架结构 [P].

陈林 ;

郑天凤 ;

朱仕镇 ;

韩壮勇 ;

朱文锋 ;

吴富友 ;

刘志华 ;

刘群英 ;

朱海涛 ;

张团结 ;

王鹏飞 ;

曹丙平 ;

周贝贝 .

中国专利 :CN206806329U ,2017-12-26

[9]

高密度系统级芯片封装结构 [P].

陶玉娟 ;

石磊 ;

李红雷 .

中国专利 :CN102176452B ,2011-09-07

[10]

高密度封装引线框架结构及具有其的高密度封装结构 [P].

吴勇军 ;

张春辉 .

中国专利 :CN212113707U ,2020-12-08

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