具有TSV结构的半导体封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811462529.X

申请日：

2018-11-30

公开(公告)号：

CN110120369A

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

金容勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23373 H01L23552 H01L2518 H01L23488 H01L21768

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

潘军

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2021-07-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/31 申请公布日:20190813

共 50 条

[1]

具有TSV互连的半导体封装组件 [P].

杨明宗 ;

洪建州 ;

黄伟哲 ;

黄裕华 ;

林子闳 ;

詹归娣 ;

吴瑞北 ;

吴凯斌 .

中国专利 :CN105720026A ,2016-06-29

[2]

半导体芯片及具有堆叠芯片结构的半导体封装 [P].

赵胜熙 ;

金圣哲 .

中国专利 :CN102263084A ,2011-11-30

[3]

半导体芯片的TSV封装结构 [P].

沈建树 ;

王晔晔 ;

赖芳奇 ;

张春艳 ;

吕军 ;

黄小花 ;

房玉亮 ;

张志良 ;

姜丁荧 ;

顾高峰 ;

施林波 ;

许红权 .

中国专利 :CN202434501U ,2012-09-12

[4]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[5]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

[6]

具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构 [P].

吴家福 .

中国专利 :CN100555628C ,2008-03-26

[7]

半导体芯片、半导体封装结构以及半导体封装结构的制备方法 [P].

赵合明 ;

伍术 ;

白世杰 ;

兰志强 .

中国专利 :CN120199754A ,2025-06-24

[8]

具有层叠芯片结构的半导体封装 [P].

姜敃圭 .

中国专利 :CN111524879A ,2020-08-11

[9]

具有散热结构的半导体封装件 [P].

蔡芳霖 ;

蔡和易 ;

黄建屏 ;

赖正渊 .

中国专利 :CN101752327B ,2010-06-23

[10]

具有堆叠芯片的半导体封装结构 [P].

黄东鸿 .

中国专利 :CN202394962U ,2012-08-22

← 1 2 3 4 5 →