一种n型LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310643175.X

申请日：

2013-12-03

公开(公告)号：

CN104681609A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

李喆王黎陈瑜陈华伦

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

殷晓雪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615757893 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201310643175X 申请日:20131203
2017-12-05	授权	授权
2015-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高隔离性的n型LDMOS器件及其制造方法 [P].

李喆 ;

王黎 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN104681608B ,2015-06-03

[2]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

张博 ;

令海阳 .

中国专利 :CN118588562A ,2024-09-03

[3]

射频N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 ;

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104037223B ,2014-09-10

[4]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[5]

一种射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

李昊 ;

周正良 .

中国专利 :CN104576731B ,2015-04-29

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[8]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05

[9]

高压隔离N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘剑 ;

段文婷 ;

孙尧 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103187435A ,2013-07-03

[10]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09

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