光学半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN201010135255.0
申请日
2005-07-28
公开(公告)号
CN101794835A
公开(公告)日
2010-08-04
发明(设计)人
尾内敏彦 井辻健明 笠井信太郎
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L3108
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
杨国权
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[41]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
山路和宏 ;
渡边孝幸 .
日本专利 :CN111064076B ,2025-01-10
[42]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
森田好次 ;
加藤智子 .
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[43]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
石田智彦 .
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[44]
光学半导体器件及其制造方法 [P]. 
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[45]
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[46]
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[47]
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[48]
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[49]
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[50]
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崔洛俊 ;
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