用于晶粒对晶粒接合的积体电路以及测试晶粒对晶粒接合的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180031739.3

申请日：

2011-01-18

公开(公告)号：

CN103221834A

公开(公告)日：

2013-07-24

发明(设计)人：

阿利弗·瑞曼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G01R3128

IPC分类号：

H01L2166 H01L25065

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

许静;安利霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101509122366 IPC(主分类):G01R 31/28 专利申请号:2011800317393 申请日:20110118
2015-09-30	授权	授权
2013-07-24	公开	公开

共 14 条

[1]

用于增强积体电路测试的测试插座 [P].

余维斌 ;

曾劭钧 .

中国专利 :CN223320438U ,2025-09-09

[2]

用于增强积体电路晶片测试的测试插座 [P].

余维斌 ;

曾劭钧 .

中国专利 :CN223377440U ,2025-09-23

[3]

用于增强积体电路测试的测试插座及其制造方法 [P].

余维斌 ;

曾劭钧 .

中国专利 :CN120831500A ,2025-10-24

[4]

用于增强积体电路晶片测试的测试插座及其制造方法 [P].

余维斌 ;

曾劭钧 .

中国专利 :CN120831559A ,2025-10-24

[5]

具有选择性接合垫保护的CMOS-MEMS积体电路装置 [P].

D·李 .

中国专利 :CN106098574A ,2016-11-09

[6]

封装积体电路基板的制造方法 [P].

谢志鸿 ;

吴志成 .

中国专利 :CN1326235C ,2004-12-08

[7]

应用于积体电路封装的电路板制造方法 [P].

黄进发 ;

简惠玲 .

中国专利 :CN101087493A ,2007-12-12

[8]

积体电路的双镶嵌结构的制作方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1428839A ,2003-07-09

[9]

用于记忆体积体电路的晶圆等级烧录 [P].

施正宗 ;

戎博斗 ;

刘士晖 .

中国专利 :CN1581456A ,2005-02-16

[10]

积体电路铜内连线晶种层的沉积方法 [P].

吴洋 ;

万其超 .

中国专利 :CN1386043A ,2002-12-18