一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210475152.8

申请日：

2012-11-20

公开(公告)号：

CN102956814A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

许祝安杨小军曹光旱

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L4310

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/10 申请日:20121120 授权公告日:20140716 终止日期:20191120
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101430519075 IPC(主分类):H01L 43/10 专利申请号:2012104751528 申请日:20121120
2013-03-06	公开	公开
2014-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[2]

锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置 [P].

李瑛 ;

刘聪 ;

姚俊 ;

舒佳武 ;

薄伟强 ;

王世伟 ;

胡业旻 ;

朱明原 ;

金红明 .

中国专利 :CN102491742A ,2012-06-13

[3]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[4]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[5]

一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

郭永权 ;

解娜娜 .

中国专利 :CN105523527A ,2016-04-27

[6]

一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183587A ,2008-05-21

[7]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[8]

具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

毋志民 ;

李越 ;

丁守兵 ;

罗一瑛 ;

李可心 .

中国专利 :CN112863802A ,2021-05-28

[9]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[10]

一种纳米结构可控的稀磁半导体材料及其制备方法与装置 [P].

曾德长 ;

马海力 ;

刘仲武 ;

余红雅 .

中国专利 :CN104200947B ,2014-12-10

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