一种化合物半导体拼版设计方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111564285.8

申请日：

2021-12-20

公开(公告)号：

CN114239470A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

苏春

申请人：

申请人地址：

610299 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联大道88号

IPC主分类号：

G06F30392

IPC分类号：

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

张巨箭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/392 申请日:20211220
2022-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[2]

化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

川平启太 ;

平野立一 .

中国专利 :CN109963967A ,2019-07-02

[3]

制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 [P].

片峰俊尚 ;

家近泰 ;

高田朋幸 ;

土田良彦 ;

清水诚也 .

中国专利 :CN1387233A ,2002-12-25

[4]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[5]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[6]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[7]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[8]

化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28

[9]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06

[10]

化合物半导体器件 [P].

足立真宽 ;

德山慎司 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102687293A ,2012-09-19

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