一种Ga2O3薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010597141.1

申请日：

2020-06-28

公开(公告)号：

CN111710591A

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

陈星刘可为申德振李炳辉张振中

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31032 C23C1640

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	公开	公开
2021-09-03	授权	授权
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200628

共 50 条

[21]

非晶Ga2O3光电探测器及其制备方法和性能提升方法 [P].

隋妍心 ;

霍文星 ;

王涛 ;

韩祖银 ;

朱锐 ;

梅增霞 ;

梁会力 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN111697090A ,2020-09-22

[22]

基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

张弘鹏 ;

元磊 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106449419A ,2017-02-22

[23]

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234A ,2022-07-08

[24]

一种β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法 [P].

唐为华 ;

彭阳科 .

中国专利 :CN107507876A ,2017-12-22

[25]

基于r面Al2O3图形衬底的β-Ga2O3薄膜制作方法 [P].

许晟瑞 ;

李文 ;

陈大正 ;

朱家铎 ;

张雅超 ;

李培咸 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110534555A ,2019-12-03

[26]

基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

董林鹏 ;

栾苏珍 ;

庞体强 ;

张玉明 ;

汪钰成 ;

刘银涛 .

中国专利 :CN107369763B ,2017-11-21

[27]

非晶MgGaO薄膜的光伏探测器及其制备方法和应用 [P].

董美 ;

林丽君 ;

郭建军 ;

季旭 ;

刘同来 ;

孔壹右 ;

叶俊伟 ;

梁志华 ;

张万桢 ;

李家蝉 ;

马佳升 ;

陈杰鑫 .

中国专利 :CN114361276A ,2022-04-15

[28]

硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法 [P].

黄健 ;

顾克云 ;

尚艺 ;

邓洁 ;

刘尊 ;

张志洛 ;

丁可可 ;

张子龙 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN113658852A ,2021-11-16

[29]

基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

安跃华 ;

郭道友 ;

李培刚 ;

钱银平 ;

王坤 ;

唐为华 .

中国专利 :CN105742398B ,2016-07-06

[30]

一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法 [P].

李延彬 ;

吴忧 ;

张乐 ;

魏帅 ;

王忠英 ;

邵岑 ;

康健 ;

陈浩 .

中国专利 :CN113088925A ,2021-07-09

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