一种Ga2O3薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010597141.1

申请日：

2020-06-28

公开(公告)号：

CN111710591A

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

陈星刘可为申德振李炳辉张振中

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31032 C23C1640

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	公开	公开
2021-09-03	授权	授权
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200628

共 50 条

[41]

基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755341A ,2019-05-14

[42]

一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

唐可 ;

刘尊 ;

黄浩斐 ;

邓洁 ;

王世琳 ;

王梦倩 ;

龚恒玥 ;

刘川 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN115642197A ,2023-01-24

[43]

一种单晶β-Ga2O3MSM型探测器及其制备方法 [P].

黄传真 ;

田龙 ;

刘含莲 ;

史振宇 ;

姚鹏 ;

刘盾 ;

邹斌 ;

朱洪涛 ;

王真 ;

王敏婷 ;

王军 ;

徐龙华 ;

黄水泉 ;

曲美娜 ;

许征凯 ;

关亚彬 .

中国专利 :CN115566104A ,2023-01-03

[44]

一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

裴艳丽 ;

费泽元 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN118983367A ,2024-11-19

[45]

一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

裴艳丽 ;

费泽元 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN118983367B ,2025-09-19

[46]

基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

郭道友 ;

王顺利 ;

贺晨冉 ;

陶江伟 ;

张丽滢 ;

常裕鑫 .

中国专利 :CN111477699A ,2020-07-31

[47]

一种PVD生长非掺杂ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

刘向力 ;

董骁恒 .

中国专利 :CN118668161A ,2024-09-20

[48]

一种基于氮化镓薄膜的微型柔性紫外探测器及其制备方法 [P].

曹冰 ;

刘伊 ;

王钦华 ;

李宗尧 .

中国专利 :CN109411552A ,2019-03-01

[49]

一种锌镓氧紫外探测器及其制备方法 [P].

刘可为 ;

韩冬阳 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111081799A ,2020-04-28

[50]

一种MSM型α-Ga2O3基日盲紫外光探测器 [P].

何云斌 ;

黄攀 ;

黎明锴 ;

卢寅梅 ;

刘琦 ;

李迎香 ;

张清风 ;

陈俊年 .

中国专利 :CN111293181B ,2020-06-16

← 1 2 3 4 5 →