半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980136504.3

申请日：

2009-08-21

公开(公告)号：

CN102160178A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

阿部贵征高桥康之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20090821 授权公告日:20130619 终止日期:20210821
2011-08-17	公开	公开
2011-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101115718123 IPC(主分类):H01L 27/10 专利申请号:2009801365043 申请日:20090821
2013-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

家田义纪 ;

磯部敦生 ;

盐野入丰 ;

热海知昭 .

中国专利 :CN102760488A ,2012-10-31

[2]

半导体器件 [P].

家田义纪 ;

磯部敦生 ;

盐野入丰 ;

热海知昭 .

中国专利 :CN106981489A ,2017-07-25

[3]

半导体器件 [P].

福原淳 ;

满田刚 .

中国专利 :CN102045047B ,2011-05-04

[4]

半导体器件 [P].

姜相列 ;

任基彬 ;

金润洙 ;

林汉镇 .

中国专利 :CN106972016A ,2017-07-21

[5]

半导体器件 [P].

守屋芳隆 ;

安部宽子 ;

汤川干央 ;

野村亮二 .

中国专利 :CN102682837B ,2012-09-19

[6]

半导体器件 [P].

金成禹 ;

金奉秀 ;

金英培 ;

许基宰 ;

高宽协 ;

洪亨善 ;

黄有商 .

中国专利 :CN109256377A ,2019-01-22

[7]

半导体器件 [P].

安托尼·香西奥 ;

马克·D·格里斯沃尔德 ;

阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;

珍妮弗·H·莫里松 .

中国专利 :CN101160663B ,2008-04-09

[8]

半导体器件 [P].

北村卓也 ;

佐甲隆 .

中国专利 :CN100378908C ,2005-12-07

[9]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN102176304A ,2011-09-07

[10]

半导体器件 [P].

纳光明 ;

安西彩 ;

山崎优 .

中国专利 :CN1573847A ,2005-02-02

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