半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980136504.3

申请日：

2009-08-21

公开(公告)号：

CN102160178A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

阿部贵征高桥康之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20090821 授权公告日:20130619 终止日期:20210821
2011-08-17	公开	公开
2011-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101115718123 IPC(主分类):H01L 27/10 专利申请号:2009801365043 申请日:20090821
2013-06-19	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN104425488A ,2015-03-18

[42]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[43]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

荻田香 ;

田村友子 ;

丸山纯矢 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN1873932A ,2006-12-06

[44]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

中国专利 :CN114068549A ,2022-02-18

[45]

级联半导体器件 [P].

弗朗斯·潘谢尔 .

中国专利 :CN103855919A ,2014-06-11

[46]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

郭帅 ;

左明光 .

中国专利 :CN114023703A ,2022-02-08

[47]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

[48]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[49]

半导体器件和半导体器件模块 [P].

坂田浩司 ;

田中智典 .

中国专利 :CN1638224A ,2005-07-13

[50]

半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法 [P].

薛珉洙 ;

卞卿溵 ;

金昌炫 ;

李殷奎 .

韩国专利 :CN119835999A ,2025-04-15

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